存储三巨头SK海力士、三星和美光股票配资资讯网站，正加速开发16-Hi HBM内存芯片，目标是在2026年第四季度向NVIDIA供货。
据悉，NVIDIA已向供应商提出需求，希望在2026年第四季度正式交付16-Hi HBM芯片，用于其顶级AI加速器。
一位行业人士表示：“继12-Hi HBM4之后，英伟达又提出了16-Hi的供货需求，因此我们正在制定非常快速的开发时间表。性能评估最早可能在明年第三季度之前开始。”
16-Hi HBM技术尚未实现商业化，其开发面临诸多技术难题，尤其是随着堆叠层数的增加，DRAM堆叠的复杂性呈指数级上升。
根据JEDEC标准，HBM4的总厚度限制在775µm，要在这一有限空间内塞进16层DRAM芯片，意味着晶圆厚度必须从目前的50µm压缩至30µm左右，而如此薄的晶圆在加工中极易损坏。
此外，粘合工艺也是竞争焦点，目前三星与美光主要采用 TC-NCF技术，而SK海力士则坚持MR-MUF工艺。
为了增加堆叠层数，粘合材料的厚度必须缩减到10µm以下，如何在极致轻薄化后依然能有效散热，是三家企业必须跨越的“大山”。
展开剩余82%16-Hi被视为半导体行业的一道分水岭，根据行业蓝图，下一代HBM5的堆叠层数也仅能达到16层，预计到2035年的HBM7才会实现20层和24层堆叠，而未来的HBM8也将止步于24层堆叠。
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此外，粘合工艺也是竞争焦点，目前三星与美光主要采用 TC-NCF技术，而SK海力士则坚持MR-MUF工艺。
为了增加堆叠层数，粘合材料的厚度必须缩减到10µm以下，如何在极致轻薄化后依然能有效散热，是三家企业必须跨越的“大山”。
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